이번 시간에는 다이오드에 대해서 알아보겠습니다!!!!
출처 : https://ko.wikipedia.org/wiki/다이오드_브리지 다이오드에 대해서 좀 더 자세히 알아보면 PN접합으로 이루어져 있습니다. 출처 : https://en.wikipedia.org/wiki/P%E2%80%93n_junction N형 반도체는 전자가 많이 존재하고 P형 반도체는 정공(hole)이 많이 존재한다는 특성이 있습니다.
출처 : http://blog.naver.com/dotori6822/220879438059 그림(가) N형 반도체는 14족(Si, Ge) 원자에 15족(P, As, Sb) 원자를 첨가(도핑)해서 전자가 존재하는 경우입니다.
출처 : https://electronics.stackexchange.com/questions/140596/diffusion-process-in-p-n-junction PN접합경계면 주위에 자유전자와 정공의 확산에 의해 공핍층이 생기게 되는데요.
출처 : http://www.globalsino.com/micro/1/1micro9831.html P쪽에 +가 걸리면 정공이 밀려나고 N쪽에 -가 걸리면 전자가 밀려나면서 공핍층이 역할을
못하면서 전류가 흐르게 됩니다. 출처 : http://www.globalsino.com/micro/1/1micro9831.html P쪽에 -가 걸리면 정공들이 왼쪽으로 쏠리고 N쪽에 +가 걸리면 전자들이 오른쪽으로 쏠리면서 공핍층이 커지게 되면서 전류가 흐르지 않습니다. 출처 : https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Diode-IV-Curve.svg 순방향일 때는 Vd(Diffusion voltage) 확산전압일 때 공핍층이 역할을 못하면서 전류가 확 증가하게 됩니다.
위는 회로도에서의 다이오드 기호이고 아래는 실제로 사용하는 다이오드 사진입니다.
제너다이오드
정전압 회로란 일정치 않은 전압이 입력으로 들어와도 항상 같은 전압이 출력으로 나오는 회로입니다.
위 회로에서는 Iz가 크게 바뀌어도 Vz는 거의 일정한 값을 갖게 되는 것이죠.
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