램 국민오버를 통해 기존의 성능보다 20%~30% 이상 향상된 성능으로 메모리 실 사용이 가능합니다. 특히 C-Die (C 다이) 메모리의 경우 이제 B-Die 못지 않는 오버 잠재력을 보여주고 있습니다. 최근 Ryzen CPU 환경에서 메모리 오버클럭에 따른 성능 향상폭이 두드러지게 확인 되는데요, 따라서 튜닝램이 아니더라도 오버클럭을 적용하는 것이 필수인 상황이 되었습니다. 램 오버클럭의 경우 램클럭, 램타이밍, 인가전압 세가지 옵션의 조정을 통해 적용이 가능한데요, 본 포스팅을 통해 안정화에 성공 하였던 램클럭, 램타이밍, 인가전압 조합을 소개해 드리도록 하겠습니다. 기본적으로 램 클럭을 3600 MHz 로 고정 오버한 뒤에 램타이밍 그리고 전압을 조정하였습니다.  그럼 지금부터 기본 삼성램인 C-DIE 램 (2666 MHz)의 오버클럭을 위한 램 타이밍과 전압 세트를 소개해 드리도록 하겠습니다. ▶ 램 오버클럭 영향 요인 램 오버클럭의 경우 자체가 가지고 있는 수율 이외에 CPU의 맴컨트롤러 성능 그리고 메인보드의 램 컨트롤 방식에 따라 결과가 좌우 됩니다. [ CPU 메모리 컨트롤러 ] CPU 멤컨의 경우 자체적인 수율이 결정되어 있기 때문에 사용자가 컨트롤 할 수 있는 옵션이 많지 않습니다. 다만 SOC Voltage 를 1.1V~1.15V 사이로 조정 해 가며 조절해 볼 수 있습니다. SOC Voltage의 경우 높을수록 멤컨 성능을 항샹 시키지만, 너무 높을경우 발열을 초래 하거나 오히려 안정화에 방해가 되기도 하기 때문에, 1.1V~1.15V 까지를 수동 조정 범위로 추천 드립니다. [ 메인보드 타입 ] 메인보드의 경우 Daisy Chain, T-Topology 방식 두가지가 있습니다. 간단하게 비유를 하지만, Daisy Chain은 직렬, T-Topology는 병렬 방식에 가깝습니다. 2 set 듀얼 킷 의 경우 Daisy Chain 방식 4 set 쿼드 킷 의 경우 T-Topology 방식 적용이 유리합니다. 일반적으로 사용하는 2개 메모리 오버클럭 (8Gb x 2ea)의 경우 Daisy Chain 방식을 지원하는 메인보드를 적용하는 것이 유리합니다. ▶ 메모리 오버클럭 가이드 메모리 오버클럭의 경우 바이오스에서 아래의 옵션 변경을 통해 적용이 가능합니다. 보통 부팅 시점에 F8을 입력하여 Bios 진입이 가능하여 아래의 메뉴를 찾아서 수동으로 변경 하셔야 합니다. - Memory Clock : 3600 MHz - Infinityfabric : 1800 MHz - Memory Timing : CL-tRCD-tRD-tRAS - Memory Voltage : Volt 삼성 C-Die 램 오버클럭 테스트를 통해 안정화에 성공한 램타이밍 / 인가 전압 조합을 아래와 같이 소개해 드립니다. 추천 값 #1 : CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage : 16-22-22-46, Voltage 1.39V~1.4V 오버클럭 이후의 성능은 Latency를 통해 측정 가능하며 일반적으로 순정상태의 경우 90~95 ns 정도가 나옵니다. 낮을 수록 반응속도가 빠르므로 성능이 좋다고 이해하시면 됩니다. [ #1 : CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage : 16-21-21-46, Latency : 69.2 ns ] [ #2 : CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage : 17-21-21-44, Latency : 70.2 ns ] [ #3 : CL-tRCD-tRD-tRAS, Voltage : 18-22-22-44, Latency : 70.6 ns ] 램 타이밍과 인가 전압은 개인별로 시스템이 따라 적용값이 조금씩 차이가 발생할 수 있으므로, 안정화 실패시 1~2 정도씩 변경을 하시면서 조정을 하기 위한 기준값으로 고려 하시면 됩니다. ▶ 결론 과거에 비해 손쉽게 국민 램 오버 적용이 가능한 시대가 도래하였습니다. 물론 위 추천 값을 적용하고 바로 실사용 하여도 괜찮지만, 안정성 확보를 위해 TM5, HCI Testmem등의 프로그램으로 안정화 보시는 것을 추천 드립니다. 램오버의 경우 난이도가 낮고 성능향상도 확실하기 때문에 오버클럭에 대한 거부감이 없는 분이시라면 적용하시기를 추천 드립니다. 직접 구매하여 실제 사용 후 아무런 대가 없이 작성된 포스팅 입니다. 삼성램은 오버클럭을 통해 손쉽게 성능 향상을 노릴 수 있습니다. B-Die로 불리는 양산버전의 DDR4램의 경우 오버클럭 마진이 크기 때문에 시중에 튜닝램으로 팔리는 램 제품들 대부분이 B-Die 삼성 램으로 제조되고 있습니다. C-Die로 분류되는 제품이 현재 PC4-21300 삼성램의 주류를 형성하고 있는 가운데, 이 제품도 램타이밍을 약간 조정하여 3600MHz 오버클럭을 달성할 수 있습니다. AMD 계열의 라이젠 CPU는 램 오버 여부에 따라 성능 차이가 상당히 크기 때문에 오버클럭은 필수 입니다. 특히 AMD CPU는 PBO로 적용하고 램 오버클락만 하는 경우가 많으므로 Overclock에 신경을 쓰는 편이 더 유리한 전략이라고 할 수 있습니다. 그럼 지금부터 Overclock에 따른 성능 차이와 설정 방법을 살펴 보도록 하겠습니다. 삼성 PC4-21300 (2666MHz, C-Die) 제품 기준의 오버클럭 성능 차이를 살펴 보도록 하겠습니다. 풀뱅크와 듀얼뱅크의 설정 램타이밍이 다른데, 이번 포스팅은 듀얼뱅크 기준으로 적용해 보았습니다. 먼저 순정 상태(2666MHz)와 국민오버(3600MHz)의 램타이밍과 성능 비교를 해 보도록 하겠습니다. [ 순정상태 (2666MHz), 램타이밍 (20-19-19-43), Latency (93.0 ns) ]
[ 오버상태 (3600MHz), 램타이밍 (18-22-22-44), Latency (70.6 ns) ]
보시는 것과 같이 레이턴시가 23ns 가까이 차이 납니다. CPU의 경우에도 기본 PBO 수준이 차이 납니다. 국민오버는 특별히 수율이 떨어지지 않는 이상 손 쉽게 달성 가능하기 때문에 가급적 설정하는 것이 좋습니다. 국민 오버시 일반적으로 사용하는 램타이밍 기준 표 입니다.
3600MHz로 오버시 위 표에서는 18-21-21-42 1.37v로 되어 있으나, 라이젠 3600, X570 기준 18-20-20-44 1.37v로 최종 안정화에 성공하였습니다. 시스템과 램 수율에 따라 결과가 달라질 수 있다는 점을 고려하여야 합니다. 램 클럭과 램 타이밍 조절을 통해 오버클럭 달성이 가능합니다. 기가바이트 Gigabyte Aorus 메인보드 기준입니다. 메모리의 경우 듀얼램 기준 2, 4번 슬롯에 램을 설치 하여야 합니다. 먼저 전압과 클럭 배수 설정을 하여야 합니다.
시작 전압은 1.370V, 그리고 3600MHz를 맞추기 위해서 Memory Multiplier는 36으로 설정합니다. 다음은 가장 중요한 Memory Setting 순서 입니다. 여기에서 램타이밍을 설정할 수 있습니다.
램타이밍은 각각 18-22-22-22-44로 설정하면 됩니다. 이번에는 Infinity Fabric 설정을 하여 마무리 할 수 있습니다.
Infinity Fabric의 경우 설정 클럭의 절반으로 맞추면 됩니다. 3600MHz로 오버클럭 할 경우 1800MHz로 인피니티 패브릭을 설정하면 됩니다. AMD의 라이젠 CPU는메모리 오버클럭에 의한 성능 향상 체감이 큰 편입니다. 따라서 무조건 램 오버를 하는 것이 좋습니다. 특히 시중에 가장 보편적으로 판매되고 있는 C-Die램의 경우 위와 같이 3600MHz, 18-22-22-44로 쉽게 오버클럭 할 수 있으므로 적용 후 세부램타 조정하는 것이 좋습니다.
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램 오버클럭 표 - laem obeokeulleog pyo
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